4月14日，美国商务部宣布依据《贸易扩展法》第232条款启动半导体制造设备进口调查，评估其对国家安全的影响。这项审查或将导致现行关税体系调整，直接冲击三星电子、SK海力士等存储芯片巨头的全球布局。
行业观察人士分析，此举标志着美国政府正试图将关税利剑延伸至半导体全产业链。在台积电、三星等企业完成美国本土建厂布局后，白宫开始通过关税杠杆施压半导体设备及材料供应商进行产能转移。
供应链承压倒逼涨价 三星向终端市场转嫁危机
据韩国媒体《朝鲜日报》报道，对于三星来说，其大部分DRAM产能均在韩国华城和平泽等地的工厂生产。然而，三星电子西安工厂却是该公司最大的NAND Flash闪存生产基地，占其总产能的40%以上。数据显示，该基地2024年晶圆年产量已达57万片，贡献全球44%的NAND供应。关税政策的任何变动都将直接冲击三星近半数的闪存产能。
据知名媒体Tech in Asia报道，由于美国近期出台的法规限制向中国出口AI半导体产品，同时中国是三星芯片的最大销售市场，后续三星电子或将遭遇诸多挑战。2024年，中国市场销售额占三星总业绩的31%，这得益于部分中国公司在美国限制之前大量囤积HBM芯片。
据韩国媒体《Newsis》报道，三星曾借助《芯片法案》补贴，斥资170亿美元在德州泰勒市建设晶圆厂。截至2023年末，该工厂建设工程已完成99.6%，即将进入设备调试阶段。由于半导体设备通常在建厂后半年内完成进口，关税政策调整时间窗口与设备进口期高度重叠。目前，泰勒工厂的投产时间已从2024年年底推迟到2026年，2年的投产真空期难以带来收益，可能会导致三星在业绩节节败退下的本就承压的资金链雪上加霜。
3月17日，三星电子会长李在镕发出警告，称公司“失去内生动力，正处于生死存亡关头”，并要求高管“应对危机不留余地”。这一表态反映了三星内外部面临的严峻形势——AI芯片业务落后于英伟达和SK海力士，叠加可能的关税冲击，公司利润空间正被进一步压缩。
为缓解经营压力，三星计划对主要客户实施3%-5%的存储芯片提价方案。官方解释称，DRAM、NAND及HBM等产品因市场需求激增将持续涨价至2026年。借助市场冠冕堂皇的涨价理由难掩三星黔驴技穷下唯有向市场转嫁成本压力的窘境，据了解DRAM具备大宗产品属性，以全球市场34%的业绩贡献占据三星电子营收的半壁江山，产品涨价让市场买单无疑成了三星当下的无奈之举。
在此背景下，三星涨价后的新合同谈判已经开始推进。此次涨价可视为三星向终端市场转嫁损失的举措。然而，这种策略可能会引发市场的连锁反应，不仅对终端消费者的购买成本产生影响，也可能对整个产业链上下游的供需关系和价格体系带来新的变数。
重金游说难见成效 战略布局陷入困局
面对复杂国际贸易环境，三星持续加码政治游说。美国参议院披露文件显示，三星美国子公司3月与游说机构Continental Strategy签订新约，重点攻关通信及半导体政策领域。值得注意的是，Continental Strategy的合伙人凯蒂·威尔斯（Katie Wiles）与白宫幕僚长苏西·威尔斯（Susan Wiles）存在直系亲属关系。
此外，美国参议院于1月22日发布的游说支出报告显示，2024年三星在美政治游说投入创下698万美元的韩企新高。在这些巨额游说资金中，有相当一部分流向了对华强硬派的迈克·加拉格尔。他曾多次向拜登政府施压，要求进一步加强对中国半导体产业的限制措施，例如提议将中国的半导体领军企业长鑫存储等纳入出口管制名单，并严格限制美国技术向这些中国企业出口。
然而，2025年3月，美国总统川普宣称将废除《芯片法案》，取消对半导体企业的补贴。据英国《金融时报》报道，目前三星仍难以获得美国大客户支持。显然，这家韩国巨头战略布局已陷入进退维谷的境地。
推荐阅读：